RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3422
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link