RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
1891
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link