RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
1891
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link