RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
1891
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link