RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2680
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1339DS1S00. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link