RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3322
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link