RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
3322
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link