RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
57
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
57
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2377
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link