RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
3136
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Jinyu 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link