RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
4001
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link