RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
3722
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link