RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1884
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link