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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
11.8
写入速度,GB/s
8.1
5.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1884
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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