RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
5.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1884
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link