RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1884
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link