RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比較する
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
5.3
テスト平均値
考慮すべき理由
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
51
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
26
読み出し速度、GB/s
9.8
11.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
5.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
1884
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link