RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
47
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
1967
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link