RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
56
Wokół strony -180% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
3540
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link