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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
56
Por volta de -180% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
14.2
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
3540
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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