RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3205
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link