RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3205
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link