RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2656
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link