RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2584
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link