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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
16.7
写入速度,GB/s
7.8
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2584
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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