RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3096
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link