RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
104
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2680
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link