RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3273
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link