RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3429
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link