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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
15.5
写入速度,GB/s
7.5
14.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3429
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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