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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3282
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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