SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

总分
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 46
    左右 -70% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    19.1 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    16.2 left arrow 13.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 27
  • 读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 19.1
  • 写入速度,GB/s
    13.6 left arrow 16.2
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2717 left arrow 3784
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