RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3784
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link