RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3402
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link