RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2552
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link