RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3773
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link