RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3598
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link