RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1517
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link