RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link