RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3759
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link