RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2755
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link