RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3486
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link