RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3767
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link