RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
71
Intorno -173% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
26
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3486
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link