RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3169
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link