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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
60
Autour de -67% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3169
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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