RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
60
Около -67% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3169
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link