RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3125
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link