RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3125
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link