RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1468
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link