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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
73
读取速度,GB/s
12.7
13.4
写入速度,GB/s
7.5
7.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1468
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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