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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
14.5
写入速度,GB/s
2,201.1
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2892
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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